原标题：MOS管做开关问题与一个NPN+P-mos开关电路中MOS管简略坏的原因
注：三极管是一种三端口半导体器材，由三个掺杂不同的半导体资料构成。它的首要结构包含一个n型或p型的掺杂基区，以及两个p型或n型的掺杂区。其间，基区夹在两个掺杂区之间，这三个区域形成了两个pn结，因而三极管也被称为双极型晶体管。三极管通过操控基极电流来操控集电极和发射极之间的电流。
MOS管是一种四端口半导体器材，由金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属氧化物半导体双极性晶体管（MOS-bipolar transistor）两种类型构成。MOSFET的首要结构包含一个金属栅、一个绝缘层和一个半导体资料。金属栅与半导体资料之间的绝缘层能操控栅极电压，然后操控漏极电流。MOSFET的特点是输入阻抗高，输出电阻低，开关速度快，可靠性高。
三极管大多数都用在放大和开关电路，而MOS管则大多数都用在功率放大和开关电路，特别是在高频率和高电压的状况下，MOS管的优势愈加显着。
一个简略的NPN+P_MOS开关操控，负载是850nm激光二极管，驱动MCU是STC15F2。现在呈现mos管简略损坏的状况，
激光器的参数，这是后边其间一组激光器的原理图，另一组跟它是相同的，总共10颗，每颗功率100mw，类型ML101J25。
上期回答一、MOS管不会导通，可是电路上会有电流流过，首要是一般MOS管里边都有个别二极管，现在的这个接法MOS内部的二极管正导游通了
上期回答二、其实是有电子器材都会有漏电流状况，仅仅多少罢了，像NMOS和PMOS自身也会需求耗费电流的，其数值巨细取决于器材制造自身所确认的，重点是NMOS和PMOS的漏电流参数IGSS和IDSS，一般实践在线使用可以不大于出厂参数就算已经是极低的漏电流了，即便这样也还要在电路实践制造中加以操控和恰当调整至最佳状况。
注：这个取决于VGS&VDS及Ron所加电压及硬件组合环境有关。回来搜狐，检查愈加多
