日前，中国科学院北京半导体研讨所(ISCAS)选用他们供给的ThomasSwanMOCVD设备开发出生界首个近紫外波长的半导体激光器。
据介绍，中科院半导体所2年前装置此设备，大多数都用在GaN器材的研讨。通过2年多时刻的尽力，在集成光电子国家重点实验室杨辉教授的带领和陈良惠教授带领的别的一个组的合作下，他们成功开发了中国大陆第一个近紫外光的半导体激光器。这种激光器选用5周期InGaN/GaN多量子阱结构作为有源层，AlGaN/GaN超晶格作为包层，光波长为410nm。
日前，中国科学院北京半导体研讨所(ISCAS)选用他们供给的ThomasSwanMOCVD设备开发出生界首个近紫外波长的半导体激光器。
据介绍，中科院半导体所2年前装置此设备，大多数都用在GaN器材的研讨。通过2年多时刻的尽力，在集成光电子国家重点实验室杨辉教授的带领和陈良惠教授带领的别的一个组的合作下，他们成功开发了中国大陆第一个近紫外光的半导体激光器。这种激光器选用5周期InGaN/GaN多量子阱结构作为有源层，AlGaN/GaN超晶格作为包层，光波长为410nm。
