本报讯 最近，由中国科学院半导体研讨所研制的氮化镓蓝光半导体激光器获得重大突破，初次完成室温接连激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所初次在中国大陆完成氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研讨向产品化、产业化迈出了极为要害和坚实的一步。
氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、安稳性很高的特色，在光电子范畴很有重要的使用远景和研讨价值，多年来一向备受各个国家重视。2002年半导体所杨辉研讨员和陈良惠院士领导的研讨团队承当了国家“863”重点项目“氮化镓基激光器”（GaNLD），开端了对GaN蓝光激光器的攻关研制。通过两年多的尽力，该所于2004年11月16日初次完成了在蓝宝石衬底上GaN蓝光激光器的脉冲激射。这引起了业界人士和有关部门领导极大重视，并得到国家“863”项目接连支撑和中科院常识立异工程重要方向性支撑。
2007年2月，科研人员在低温度的环境下观测到了GaN蓝光激光器的接连激射。本着谨慎、务实的科学精力，科研人员又在激光器腔面解理和镀膜、激光器热沉规划和制造、激光器倒装以及激光器测验手法的完善和进步等方面做了很多细致入微的作业，2007年4月30日，GaN蓝光激光器总算在半导体所科研人员的勤劳培养下绽放出瑰丽的蓝色笑靥，发射出了中国大陆上第一束接连的、安稳的蓝色光束。
