本次格恩半导体共发布了十多款令人期待的氮化镓激光芯片产品，包括蓝光、绿光及紫光等系列，这一些产品关键性能指标已达到国外同种类型的产品的领先水平，充分展示了格恩半导体在氮化镓激光芯片领域的超强技术实力和国内领先水平，并将有力促进国内氮化镓激光全产业链的蓬勃发展。与会人员和专家学者对本次产品发布给予高度赞誉。
据了解，氮化镓半导体激光器具有体积小、寿命长、效率高等优点，波长范围覆盖可见光和紫外波段，应用场景包括激光显示、工业加工、激光照明、激光通讯、激光医疗等众多领域，近年来总体市场需求呈现较高的复合增长趋势，由于氮化镓激光技术壁垒较高，长期被国外少数企业垄断，我国企业需求全部依赖进口。
近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装测试全系列工程技术能力及量产制造能力，拥有国际领先的半导体研发与量产设备500余台，以及行业先进的产品研制平台和自动化生产线。
本次发布会的举办，意味着我国在氮化镓激光芯片领域已真正的完成突破，打破了被国外企业长期垄断的局面，填补了国内氮化镓激光芯片产业化空白，在我国半导体激光器的发展史上具有里程碑的意义。这是安徽企业在解决“卡脖子”难题中，勇挑重担、创新发展的一个缩影；更是六安市落实省委省政府制造强省战略，加快现代化美好安徽建设的生动实践。
“我们将持续深耕半导体激光领域，加速实现从行业‘追赶者’到行业‘领跑者’的转变与飞跃。”格恩半导体有限公司董事长阚宏柱表示，格恩半导体一方面将坚定不移地继续加大研发技术，不断推进技术创新，坚持精细化流程管理，保持激光芯片研发的高效率与高命中率；另一方面将严控产品质量，提升服务水平，适应市场变化，不断推动新技术与新产品的落地，为业界提供性能优异的激光芯片。
“近年来，我们的祖国也有许多高校及研究所从事相关研究，但没具体的产品推出，今天格恩半导体推出了产品，这个突破是可喜可贺的，他们突破了大量的单元技术、工艺技术，对于我国的光电子器件的高水平质量的发展具有象征性的重要意义。”中国科学院院士、南昌大学副校长江风益为氮化镓激光芯片点赞，“期待未来在国际的高端市场上，我们国产的氮化镓激光芯片能够占有一席之地。”
